LED芯片材料磊晶种类
1.LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
2.VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs
3.MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN
4.SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs
5.DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAs
6.DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAlAs
LED芯片组成及发光
LED晶片的组成：主要有申(AS)铝(AL)家(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Si)这几种元素中的若干种组成。
LED晶片的分类：
1、按发光亮度分：
A、一般亮度：R、H、G、Y、E等
B、高亮度：VG、VY、SR等
C、超高亮度：UG、UY、UR、UYS、URF、UE等
D、不可见光(红外线)：R、SIR、VIR、HIR
E、红外线接收管：PT
F、光电管：PD
2、按组成元素分：
A、二元晶片(磷、家)：H、G等
B、三元晶片(磷、家、申)：SR、HR、UR等
C、四元晶片(磷、铝、家、铟)：SRF、HRF、URF、VY、HY、UY、UYS、UE、HE、UG
国家对ＬＥＤ产业的发展也给予了大力支持。２００６年，根据我国半导体照明产业的发展现状，有关部门制定半导体照明产业发展计划和２００６年技术发展路线图提出，对于ＬＥＤ芯片的投资将占ＬＥＤ产业投资的２０％，研究重点将放在ＧａＮ芯片的生产以及功率芯片的研发上。
虽然拥有极大的市场需求并得到有关部门的大力支持，但不可否认的是，现阶段ＬＥＤ芯片产业仍然存在核心技术缺乏、人才短缺、产品质量不高、设备自主生产能力弱等发展困境。如何解决上述问题是我国ＬＥＤ产业能否持续健康快速发展的关键。
王莹认为，ＬＥＤ芯片产业的快速发展将助推ＬＥＤ产业整体升级。在ＬＥＤ芯片产业的发展过程中，早期产品主要以普通亮度芯片为主，生产厂商也只有南昌欣磊等少数几家。２００３年以后，以厦门三安、大连路美为代表的芯片生产企业针对芯片市场的需求，纷纷把产品重点集中到高亮度芯片上，直接带动了高亮度芯片产量的快速增长。一时间，国内掀起了ＬＥＤ芯片产业发展的热潮，高亮度芯片成为ＬＥＤ芯片产业发展的主要推动力。２００６年，我国ＬＥＤ芯片产量达到３０９．３亿个，产值达到１１．９亿元。
随着ＬＥＤ芯片生产企业的不断增多，ＬＥＤ芯片产值的增长速度一直高于封装环节，导致芯片产值在我国ＬＥＤ产业产值中所占比重不断提升，由２００２年的５．４％上升至２００６年的１１．３％。由此可见，我国ＬＥＤ产业正在由低端走向，向附加值更高、更具核心价值的芯片环节迈进。
据王莹预测，２００８年高亮度芯片产量将超过普通亮度芯片，ＬＥＤ芯片产业进入高亮度时代。在很长一段时间内，企业将会把投资重点放在高亮度芯片的生产上。
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